氟化镁的蒸气压较高，并且在通过切克劳斯基方法生长的开放系统中原料易挥发，因此晶体生长过程需要在正压条件下进行。首先，将晶体生长炉抽真空至真空，然后用高纯度氩气填充至略微正压。气体均匀后，将氩气抽出以除去炉中的杂质，例如水分和氧气。重复该过程直到达到晶体炉中的真空状态，并且将温度升高至氟化镁烧结材料的熔化。氟化镁晶体材料的应用分析在氟化镁晶体的生长过程中添加一定量的除氧剂，以防氧气或羟基进入晶体。将加工后的晶体材料填充到石墨中。在迄今为止已知的材料中，氟化镁晶体是在真空紫外线带中具有佳透光性能的材料之一。氟化镁晶体的范围从真空紫外线到红色。单晶原子以均匀有序的长距离有序排列，表现出优选的取向。因为没有晶界，相邻的颗粒(或氟化物)。从国内外市场和生产过程来看，有竞争力的市场是干燥的氟化铝生产过程及其产品。
在迄今为止已知的材料中，氟化镁晶体是在真空紫外线带中具有佳透光性能的材料之一。氟化镁晶体具有从真空紫外到红外范围的良好渗透性，并且是红外和紫外检测器的常用窗口材料。随着大功率激光技术，高精度成像技术，红外制导技术和半导体光刻技术的飞速发展，市场对氟化镁的需求急剧增加，尤其是在可预见的时间内对高质量单晶的需求。供不应求的状态。
与多晶氟化镁相比，单晶在紫外区域具有更高的透射率。 另外，单晶材料在物理性能上优于多晶材料，具有高机械强度，并且抗热冲击并且不容易沿晶界开裂的优点。
氟化镁在高温下易于氧化或水解反应以产生氧化镁杂质。氧化镁的熔点高，不易挥发。残留在生长系统中的氧化镁将减少晶体过滤，并导致缺陷，例如晶体内部的散射颗粒。因此，在整个晶体生长过程中须避免氧气和水蒸气。在氟化镁原料中加入一定质量百分比的除氧剂，不仅可以有效去除原料和结晶炉中的水分，还可以对原料进行进一步的氟化处理，避免水解或氧化。氟化镁晶体材料。
氟化镁的蒸气压较高，并且在通过切克劳斯基方法生长的开放系统中原料易挥发，因此晶体生长过程需要在正压条件下进行。首先，将晶体生长炉抽真空至真空，然后用高纯度氩气填充至略微正压。气体均匀后，将氩气抽出以除去炉中的杂质，例如水分和氧气。重复该过程直到达到晶体炉中的真空状态，并且将温度升高至氟化镁烧结材料的熔化。
